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原文传递一种缺陷检测用标准晶圆及其加工方法与应用

专利名称：	一种缺陷检测用标准晶圆及其加工方法与应用
摘要：	本发明公开了一种缺陷检测用标准晶圆及其加工方法与应用，涉及晶圆加工技术领域，其技术方案要点是：选取检测无缺陷的线型晶圆片作为目标晶圆；在目标晶圆的配线表面沉积一导电层；采用电介质旋转涂覆方法在导电层表面镀一电介质层；采用光刻方法在电介质层表面制作至少一个缺陷模样；通过蚀刻设备将以光致抗蚀剂制作的缺陷模样修剪后，再蚀刻电介质层；电介质层蚀刻后将暴露出的导电层去除，再将修剪后的缺陷模样去除；最后将剩余的电介质层去除，得到标准晶圆。本发明适用于不同类型、尺寸大小以及形成难度的缺陷制备，能够满足不同在对检验设备性能评估时对不同缺陷检测难度的需要，即使在缺陷规则缩小的情况下也可以采用相同工艺完成制备。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	成都高真科技有限公司
发明人：	金德容
专利状态：	有效
申请日期：	2022-05-16T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-24T00:00:00+0800
申请号：	CN202210528240.3
公开号：	CN117109997A
代理机构：	成都行之专利代理有限公司
代理人：	梁田
分类号：	G01N1/28;G01N1/32;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28;G01N1/32
申请人地址：	610000 四川省成都市高新区科新路8号附19号
主权项：	1.一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，包括以下步骤： S1：选取检测无缺陷的线型晶圆片作为目标晶圆； S2：在目标晶圆的配线(1)表面沉积一导电层(2)； S3：采用电介质旋转涂覆方法在导电层(2)表面镀一电介质层(3)； S4：采用光刻方法在电介质层(3)表面制作至少一个缺陷模样(4)； S5：通过蚀刻设备将以光致抗蚀剂制作的缺陷模样(4)修剪后，再蚀刻电介质层(3)； S6：电介质层(3)蚀刻后将暴露出的导电层(2)去除，再将修剪后的缺陷模样(4)去除； S7：最后将剩余的电介质层(3)去除，得到标准晶圆(5)。 2.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述导电层(2)采用具有导电性能的金属、合金、多晶或聚合物材料制备而成。 3.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述导电层(2)的厚度不超过50nm。 4.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述电介质层(3)为绝缘层。 5.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述缺陷模样(4)制作时的光致抗蚀剂厚度大于电介质层(3)表面与导电层(2)最外侧表面之间的厚度。 6.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述缺陷模样(4)的形状包括圆形、椭圆形、三角形和四角形。 7.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述目标晶圆的配线(1)形态包括闸极、位线和金属线。 8.根据权利要求1所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法，其特征是，所述光刻方法采用干式蚀刻或湿式蚀刻。 9.如权利要求1-8任意一项所述的一种缺陷检测用标准晶圆的加工方法所制备的一种缺陷检测用标准晶圆。 10.如权利要求9所述的一种缺陷检测用标准晶圆在评估检验设备性能中的应用，其特征是，包括以下步骤：选取至少一个标准晶圆(5)作为检验设备的检验对象；每一个标准晶圆(5)中配置有多种不同检验难度的缺陷模样(4)，每种缺陷模样(4)至少配置有一个；依据最终检验准确的缺陷模样(4)所包含的难度等级确定相应检验设备的性能评估结果。
所属类别：	发明专利