原文传递
一种光学传感器的毒品吗啡分子识别敏感芯片及其制备方法
| 专利名称： | 一种光学传感器的毒品吗啡分子识别敏感芯片及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明属于光学传感器芯片制备领域，具体涉及一种光学传感器的毒品吗啡 分子识别敏感芯片及其制备方法。本发明所提供的毒品吗啡分子识别敏感芯片， 由两个部分组成，从上至下依次为吗啡分子印迹聚合物膜层和金属膜基底层；其 中，金属膜基底是指在光学盖玻片上通过真空蒸发法或溅射法镀上一层金属薄 膜，而吗啡分子印迹聚合物膜是利用化学合成的方法将其交联在上述金属膜基底 的金属薄膜表面。由于该聚合物膜结构中形成了与吗啡分子在空间和结合位点上 相匹配的具有多重作用位点的立体空穴，从而能够实现对毒品吗啡分子的特异 性、高灵敏度识别功能。本发明所提供的分子识别敏感芯片具有物理化学性质稳 定，可多次重复使用，易于保存，制作方法简单，耗能少，造价低廉等突出优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 公安部物证鉴定中心;北京理工大学 |
| 发明人： | 朱 军;郝红霞;刘建军;韦天新;刘 耀;于忠山 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-03-05T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910119164.5 |
| 公开号： | CN101551334 |
| 代理机构： | 北京理工大学专利中心 |
| 代理人： | 张利萍 |
| 分类号： | G01N21/75(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100081北京市海淀区中关村南大街5号 |
| 主权项： | 1.一种光学传感器的毒品吗啡分子识别敏感芯片，其特征在于：包括两个部 分，从上至下依次为吗啡分子印迹聚合物膜层和金属膜基底层；其中，金属膜基 底是指在光学盖玻片(2)上通过真空蒸发法或溅射法镀上一层金属薄膜(1)， 而吗啡分子印迹聚合物膜(6)是利用化学合成的方法将其交联在上述金属膜基 底的金属薄膜表面，用于光学传感器对毒品吗啡分子实现特异性、高灵敏度识别 功能。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
