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一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器及其制备方法
| 专利名称： | 一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其包括CMOS、下电极、阻变材料层、上电极和金属层。其中，下电极、阻变材料层、上电极和金属层自下而上地设置形成柱状的栓，栓设置在CMOS的保护源或漏区，金属层与上电极电性连接。本发明还提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器的制备方法。本发明具有低成本，制造步骤简短，器件尺寸更小等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 吴关平;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-01-06T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110001524.9 |
| 公开号： | CN102142519A |
| 代理机构： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
| 代理人： | 董红曼 |
| 分类号： | H01L45/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 |
| 主权项： | 一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其特征在于，其包括CMOS（1）、下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）；所述下电极（2）、阻变材料层（3）、上电极（4）和金属层（5）自下而上地设置形成柱状的栓，所述栓设置在所述CMOS（1）的保护源或漏区。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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