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一种利用石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法
| 专利名称： | 一种利用石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用转移或利用化学气相沉积直接生长的石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其主要特点是将石墨烯转移到或者直接生长到需要制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的损伤与污染，并得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。本发明对于结构完整、零损伤TEM样品的制作具有重大意义。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京大学 |
| 发明人： | 高鹏;窦志鹏;陈召龙;刘忠范 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810272364.3 |
| 公开号： | CN108871890A |
| 代理机构： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
| 代理人： | 张肖琪 |
| 分类号： | G01N1/28(2006.01)I;G01N1/44(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28;G01N1/44 |
| 申请人地址： | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |
| 主权项： | 1.一种利用石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其特征在于，将石墨烯转移到或利用化学气相沉积直接生长到所需制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的表面损伤与污染，并通过手工磨样、离子束减薄或者利用Fib(聚焦离子‑电子双束系统)得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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