详情

原文传递基于硅基表面固定CdS纳米晶荧光探针、制备方法及其对Cu2+的检测

专利名称：	基于硅基表面固定CdS纳米晶荧光探针、制备方法及其对Cu2+的检测
摘要：	本发明用表面离子诱导均匀沉淀技术在羧基化SiO2表面选择性沉积CdS纳米晶制备硅基表面固定CdS纳米晶荧光探针(SiO2/CdS NCs)，结果表明通过将CdS纳米晶分散固定在SiO2表面，SiO2介质有效防止CdS纳米晶的聚集，制得的SiO2/CdS NCs荧光探针具有较强荧光发射和较好的光稳定性。此外，Cu2+较其它金属离子更易取代CdS晶格Cd2+离子形成CuS/CdS异质结，而具有较强的荧光淬灭效率，在此基础上，发展了一种基于SiO2/CdS NCs选择性荧光探针实现茶叶中痕量Cu2+高灵敏的检测。与基于有机试剂稳定CdS纳米晶荧光探针相比，SiO2/CdS NCs荧光探针对溶液pH不敏感、分析程序简单、选择性较高和线性范围宽。与基于包覆SiO2保护壳的纳米晶荧光探针相比，SiO2/CdS NCs荧光探针制备过程简单、分析重现性好。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	安徽;34
申请人：	皖西学院
发明人：	谢成根;金俊成;李淮芬;刘仁勇;陈豆豆
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-07T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-13T00:00:00+0800
申请号：	CN201910377418.7
公开号：	CN110231317A
代理机构：	北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	陈娟
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	237012 安徽省六安市裕安区云露桥西月亮岛
主权项：	1.一种CdS纳米晶荧光探针，其特征在于：硅基表面固定CdS纳米晶。 2.根据权利要求1所述的CdS纳米晶荧光探针，其特征在于：所述硅基表面固定为用表面离子诱导均匀沉淀技术在羧基化SiO2表面选择性沉积CdS纳米晶制备硅基表面固定CdS纳米晶荧光探针。 3.制备如权利要求1所述的CdS纳米晶荧光探针的方法，其特征在于：方法步骤如下： 1):SiO2-COOH的制备 11):将SiO2和APTS通过超声分散到无水甲苯中； 12)：将混合物在干燥的氮气中回流12小时后，分别用甲苯和四氢呋喃离心洗涤，分离得到氨基化二氧化硅颗粒； 13):在室温下，将合成的氨基化二氧化硅颗粒超声分散到含有丁二醇酐的四氢呋喃中，干燥的氮气中将搅拌12h，制备的SiO2-COOH颗粒被离心收集，分别用乙醇清洗多次、水洗三次，然后在真空30℃中干燥； 2)：在SiO2-COOH表面沉积CdS纳米晶： SiO2-COOH颗粒分散在含有CdCl2和TAA的的水溶液中，放在颈烧瓶中；混合后，调整pH值通过使用1M氢氧化钠，均匀降水进行了在110℃油浴12h磁搅拌350rpm转速；合成SiO2/CdSNCs被离心收集，先后用丙醇清洗涤、乙醇洗涤，然后30℃真空下干燥24h。 4.根据权利要求3所述的CdS纳米晶荧光探针的制备方法，其特征在于：所述步骤11)中的SiO2与APTS、无水甲苯质量体积比为：0.2-1g：2mL：20-40mL。 5.根据权利要求3所述的CdS纳米晶荧光探针的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中pH值为8-10.5。 6.权要要求1所述的CdS纳米晶荧光探针在检测痕量铜离子的应用。 7.权要要求1所述的CdS纳米晶荧光探针在茶叶中痕量铜离子的荧光检测的应用。 8.如权利要求6或7所述的应用，其特征在于：方法步骤如下： 1)将1.0M的SiO2/CdS NCs悬浮液加入石英试管中，将已知浓度的Cu2+水溶液注入所述SiO2/CdS NCs悬浮液中； 2)将混合物在室温下摇匀，调整荧光光谱采集范围，确认激发波长； 3)同时，用相同的方法测定了所得CdS NCs(1.0M)对Cu2+的荧光响应。 9.根据权要求8所述的应用，其特在于：所述步骤2)中的荧光光谱采集范围为350～700nm，激发波长为300nm。
所属类别：	发明专利