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一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法
| 专利名称： | 一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，包括：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜；采用等离子清洗技术对制备的薄膜样品进行表面预处理，选择氩气进行等离子清洗；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在薄膜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；设置辐照参数，诱导材料发生逐步非晶化；原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理。本发明通过电子束辐照实现了锗锑碲材料的逐步非晶化，并借助透射电镜直接观察分析材料非晶化的结构演变过程，为探索锗锑碲材料的非晶化机理提供了便捷的研究方法和可靠的实验依据。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学 |
| 发明人： | 张伟;蒋婷婷;王疆靖 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-21T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-10T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910773032.8 |
| 公开号： | CN110554060A |
| 代理机构： | 西安智大知识产权代理事务所 |
| 代理人： | 王晶 |
| 分类号： | G01N23/04(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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