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花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器
| 专利名称： | 花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，气敏材料涂覆在加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm，气敏材料成分为花瓣状二硒化锡纳米材料。其中制备工艺，包括以下步骤：步骤一，制备花瓣状二硒化锡：将1.6～2.4mLC2H8N2、30.4～45.6mL(CH2OH)2混合，之后加入361～541.6mg二水氯化亚锡、126.3～189.5mg硒粉，磁力搅拌20min～30min后倒入反应釜中进行反应，反应温度为165℃～180℃，反应时间为3h～12h，将所得黑色产物用离心机分离后反复洗涤直至废液pH值为6.5～7.5，之后80℃干燥6h～12h；步骤二，制备二硒化锡分散液；步骤三，取分散液涂覆到加热基板表面，放置在干燥箱80℃干燥，得到二氧化氮气体传感器。本发明的二氧化氮气体传感器制作的工艺步骤简单，成本低，且对二氧化氮响应灵敏。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 海南;46 |
| 申请人： | 海南聚能科技创新研究院有限公司 |
| 发明人： | 林仕伟;李欣宇;李晓干;张俊平;陈汉德;周义龙;顾丁;刘炜;王雪燕 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811470205.0 |
| 公开号： | CN109521063A |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 571152 海南省海口市国家高新区狮子岭工业园光伏北路18号 |
| 主权项： | 1.花瓣状SnSe2的二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，其特征在于，所述气敏材料涂覆于所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm，所述气敏材料成分为花瓣状二硒化锡纳米材料。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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