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原文传递金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器及制备方法

专利名称：	金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器及制备方法
摘要：	本发明属于气体传感器技术领域，提供了一种金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器及制备方法。该二氧化氮气体传感器包括气体敏感材料和加热电极，所述气体敏感材料均匀涂覆于加热电极的表面；气体敏感材料为均匀分布金的花状SnS2，具有较大的表面积‑体积比结构，以及Au纳米颗粒可以作为具有特定催化特性的活性催化剂，可以增强吸附物质从活性位点到非活性位点的扩散和转移速率。本发明采用水热法和水浴法制备获得一种金修饰的花状结构纳米材料，其原材料获取方便、价格低廉、制备过程简单。
专利类型：	发明专利
申请人：	大连理工大学
发明人：	朱倩琼;顾丁;李晓干;黄宝玉;张苏;刘炜
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T08:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T15:00:00+0805
申请号：	CN202010017845.7
公开号：	CN111157589A
代理机构：	大连理工大学专利中心
代理人：	温福雪;梅洪玉
分类号：	G01N27/12;B82Y30/00;B82Y15/00;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N27;B82Y30;B82Y15;G01N27/12;B82Y30/00;B82Y15/00
申请人地址：	116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
主权项：	1.一种金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器，其特征在于，该金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器包括气体敏感材料和加热电极，气体敏感材料均匀涂覆于加热电极的表面，涂覆厚度为30μm～60μm；气体敏感材料是金修饰的花状SnS2材料。 2.根据权利要求1所述的金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的花状SnS2材料的尺寸为1μm～10μm。 3.根据权利要求1或2所述的金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的加热电极为正面带有纯金、叉指对数为3～10对、厚度为2～5μm的氧化铝基板，背面带有发热电阻板，发热电阻板的发热温度为30℃～400℃。 4.根据权利要求1或2所述的金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的二氧化氮气体传感器的工作环境温度为80℃～200℃。 5.根据权利要求3所述的金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的二氧化氮气体传感器的工作环境温度为80℃～200℃。 6.一种金修饰的花状SnS2的二氧化氮气体传感器的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，制备SnS2纳米花粉末：将SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺依次溶解在异丙醇中，控制SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺的摩尔比为1：4～5；剧烈搅拌至药品完全溶解后，将溶液转移到的高压釜中，密封并在180℃下水热12-24h；然后将高压釜冷却至室温，最后通过离心混合物收集金色沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇洗涤多次，然后在50℃～100℃下干燥12h～24h以进一步表征和使用；步骤二，制备金修饰的SnS2纳米花材料：将步骤一中所得SnS2纳米花粉末分散于去离子水中，得到浓度为0.01mol/l的悬浊液，再加入0.01mol/l的L-懒氨酸溶液作为分散剂使SnS2纳米花粉末均匀分散在去离子水中，搅拌10-15min，然后，加入的氯金酸溶液，并控制氯金酸与SnS2的摩尔比为0.01～0.5:1，搅拌30min，最后缓慢滴入0.1mol/l的柠檬酸钠溶液，搅拌30min；最后通过离心混合物收集金色沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇洗涤多次，然后在50℃～100℃下干燥12h～24h以进一步表征和使用；步骤三，制备金修饰的SnS2纳米花气体传感器：将步骤二中所得的金修饰的SnS2纳米花材料粉末研磨1min～5min，再将研磨后的粉末均匀分散到去离子水中，超声处理后得到6mg/ml～10mg/ml的分散液；将该分散液涂覆到所述加热电极表面，放置于干燥箱中60℃～100℃干燥8h～12h，得到二氧化氮气体传感器。
所属类别：	发明专利